分为4点。第1点存在于硅和二氧化硅的界面，叫做界面陷阱电荷，也可以称它为快界面态。我们可以用qIt来表示。它有很多悬挂键，也就是si与氧气没有完全反应形成的，它既可以俘获电子，也可以释放电子，形成共价键。
第2个分类是氧化层中固定电荷。也就是在二氧化硅系统中，靠近界面的一侧，有不会动的正电荷，也就是氧化层中过剩的硅离子，或者说是氧化层中的氧空位。由于氧离子带负电，氧空位具有正电中心的作用，所以氧化层中的固定电荷带正电，我们可以用qf来表示。
第3种分类是氧化层中的可动电荷。就是二氧化硅里面可能不是很纯净，它会混有可动的钠离子和钾离子，他们都是带正电荷的。在外加电场的作用下，他们是可以移动的。我们可以用QM来表示。
最后一个分类是氧化层中陷阱电荷。这个是在二氧化硅体内的。我们知道硅氧键断裂会使si带正电荷，而这些带正电荷的si可以俘获电子或者空穴，不过他保持一段时间后就会释放。
接下来我们来介绍第1点，界面陷阱电荷的特点，也就是我们说的快界面态。我们用dit来表示界面陷阱电荷的密度也就是界面太密度。它的量值一般在10的10次方到10的12次左右，它的单位是每平方厘米每电子伏特。我们可以在禁带中以能量值为横坐标，以界面态密度值为纵坐标画曲线图。我们可以看出来界面太密度，在禁带中是呈现u型分布的。也就是在ev和ec的地方，它的界面太密度很高，在近代中线的地方是比较低的。
（原因就在于在两边他们的空穴或者电子的密度是很高的。所以他们和悬挂键反应的概率就越大。所以dIt会越高。）
第2点界面电荷qIt与晶向的关系。111方向是大于110方向是大于100方向的。因为不同晶向的原子密度是不同的，所以保留的界面电荷数量也是不同。
最后一点qIt的大小与退火处理的过程是有关。它受温度的影响很大，温度越高si与氧的反应越激烈，那么就会导致悬挂键和氧更多的形成化学键，悬挂键减少，界面陷阱电荷越少
